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    Intel再投200億美元建2座芯片工廠“1.8nm”工藝王者歸來

    來源:網絡    2022-09-11 08:57:00    責編:顧曉蕓    閱讀量:3166
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    Intel再投200億美元建2座芯片工廠“1.8nm”工藝王者歸來

    當地時間9月9日,英特爾CEO基辛格宣布,將投資200億美元在美國俄亥俄州建設大型晶圓廠。這是英特爾IDM 2.0戰略的一部分,總投資計劃高達1000億美元。新工廠預計2025年量產,屆時ldquo1.8nmrdquo技術將使英特爾重回半導體領導者的位置。

    自去年2月就任英特爾首席執行官以來,基辛格開始大力推動在美國和世界各地建廠,其中在美國的投資至少超過400億美元。去年,他投資200億美元在亞利桑那州建造了一座晶圓廠。這一次,他還在俄亥俄州投資了200億美元,并在新墨西哥州建立了一個新的包裝和測試工廠。

    這座英特爾工廠也是美國通過528億美元的芯片補貼法案后,在美國新建的大型半導體芯片工廠。為此美國總統也出席了奠基儀式,還有俄亥俄州州長等當地部門的高級官員。

    英特爾的芯片制造基地將由兩個晶圓廠組成,最多可容納八個工廠和配套的生態支持系統,占地近1000英畝,即4平方公里,將創造3000個高薪職位,7000多個建筑職位,以及數萬個供應鏈合作職位。

    這兩家晶圓廠預計在2025年量產。英特爾沒有具體提到工廠的工藝水平,但英特爾之前說過要在四年內掌握五代CPU工藝,2024年要量產兩代20A和18A工藝。所以,這里的工廠到時候應該也會量產18A的工藝。

    20A和18A是世界上第一批達到艾美獎水平的芯片工藝,相當于友商的2nm和1.8nm工藝。英特爾的兩大黑科技Ribbon FET和PowerVia也將推出。

    據英特爾稱,RibbonFET是英特爾對Gate All Around transistor的實現,它將是該公司自2011年首次推出FinFET以來的第一個全新的晶體管架構。該技術加快了晶體管的開關速度,同時實現了與多鰭片結構相同的驅動電流,但占用空間更小。

    PowerVia是英特爾獨有的第一個背面電力傳輸網絡,它通過消除晶圓正面的電源和布線需求來優化信號傳輸。

         
        
        
           
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